国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“一种分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法”的专利，公开号CN121358051A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制造领域，具体是一种分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法。本发明针对现有异质基HgCdTe分子束外延技术中的位错密度较高与Se原子扩散失控的双重缺陷，通过设计HgSe超晶格结构触发位错反应并进一步构建As掺杂HgTe扩散封锁层，最终使得所述分子束外延异质基HgCdTe材料能够满足高工作温度（≥150K）红外探测器对低位错密度、零Se扩散及高稳定性的核心要求，解决了由于分子束外延异质基HgCdTe的位错密度较高而引发器件暗电流剧增和盲元率上升的问题以及含Se的外延结构Se扩散失控的问题。

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天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，开云官方体育app成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10945.6522万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可3个。

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