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开云app 智创芯源申请分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法专利, 最终使得所述分子束外延异质基HgCdTe材料能够满足高工作温度(≥150 K)红外探测器对低位错密度、零Se扩散及高稳定性的核心要求

2026-01-21

国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“一种分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法”的专利，公开号CN121358051A，申请日期

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